Stimmt, der Bd 135 ist leider nur ein normaler NPN. Ich habs mal aufgebaut. Vermutlich passt der Vorwiderstand nicht. Ich habs nach dieser http://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand Formel berechnet. Ic= 30mA hFE = 100
Ib= 30mA/30 = 1mA
Rb = 3,8V/1mA = 3800 Ohm. Man soll etwas weniger nehmen. Also 3,3 kOhm.
Ich habs auch mit 1kOhm versucht, den du (bzw. wkrug) für den N-Channel FET vorgesehen hast.
Für den IRF5305 hab ich 33kOhm genommen.
Leider fließt der Strom jetzt ständig, egal ob ich den Output-Pin am AVR auf 0 oder 1 setze.
Die Wiederstände waren vertauscht: eher 10-20 K zwischen NPN und PNP und 100 K vom Controller zum NPN. Mit kleineren (z.B. 2 x 10 K) Widerständen sollte es auch gehen, nur nicht so sparsam.
Mit dem FET braucht man noch einen Widerstand vom Gate zur Source. So viel spart man damit also auch nicht.
Wie meinst du das? Brauch ich bei der FET-Variante noch einen dritten Widerstand? Zwischen Source des P-Channel und Gate des P-Channel? Wie groß müsste der denn sein?Zitat von Besserwessi
Ich wäre ja schon zufrieden, wenn eine der beide Varianten funktioniert. Auf die fünfte Nachkommastelle kommst mir bei der Stromstärke auch nicht an.
Mist, habs gerade gelesen, und davor ein paar mal zu oft überlesen, dass da ein Widerstand ziwschen P-Channel-Source und P-Channel-Gate muss. Und es läuft mit 33 K
Außerdem noch 33 k zwischen NPN Transistor und P-channel und 1k zwischen NPN und AVR.
Es scheint so zu funktionieren. Vielen Dank.
Die Spannung am L7809 sinkt von 8,88 V auf 8,87 V bei abnehmender Spannung des Akkus (12V bis 11 V). Das ist noch ok für den Sensor-Spannungsteiler dahinter, denke ich. Aber es irritiert mich doch, da der IRL5303 ja bei etwa 5 Volt voll durchschalten sollte und mindestens 11 Volt bekommt. Ob er nun 11V oder 12V (oder alles zwischen 5 und 20) ans Gate bekommt, sollte ihm ja eigentlich egal sein.
Aber so läufts ja erst mal. Bis dahin nochmal Danke.
Bin weiterhin für Warnhinweise und Optimierungsvorschläge offen.
Bei der FET Variante braucht man eigentlich auch nur 2 Widerstände. Nur der eine Widerstand von Gate nach Source, dafür keiner von Gate zum Transistor davor.
Hier noch mal die schaltungen als Bild:
Die Widerstände könnten z.B. jeweils 10 K sein. Der MOSFET typ ist allerdings deutlich zu groß hier. Da also eher ein BS250 oder so.
Danke! Ist kein Eagle, oder? Wirkt es sich denn e-technisch negativ aus, dass ich einen überdimensionierten P-Channel-FET habe?
Noch eine kleine Frage: Wenn ich einen Spannungsteiler am ADC mit einem 15pF Kerko gegen, trotz eingeleiteter Gegenmaßnahmen, verbliebene "Reststörfrequenzen" schützen möchte, muss ich dann den Kerko parallel zu beiden Teilwiderständen, oder besser zwischen ADC-Pin und GND setzen?
Ein übedimensionierte P-Fet sollte nicht wesentlich schaden, das Auschalten geht dann nur langsamer.
Der Schaltplan oben wurden mit Eagle gezeichnet, dann als Bild exportiert (150 dpi monocrom) und dann in PNG ungewandelt, um das File klein zu halten.
Um Störungen rauszufiltern sollte der Kondensator gegen AGND geschaltet sein. 15 pF bringen allerdings so gut wie nichts. Kondensatoren parallel zu beiden Widerständen eines Spannungsteilers nutzt man, wenn man schnelle Signale teilen will und die nicht so sehr durch parasitäte Kapatzitäten verändert werden sollen.
Es gibt auch noch ein gewisses Problem wenn der Kondensator kleiner als etwa 5-10nF ist. Dann ist der Kondensator zu klein (weniger als 1024 mal S&H Kondensator) um die Spannung richtig zu puffern, aber er verlängert die Zeitkonstante am Eingang. Aufeinanderfolgende AD wandlungen sind dann nicht mehr völlig unabhängig, man behält noch einen kleinen Rest von der vorherigen Spannung.
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