Kannst auch Mosfets nehmen. Für die Highside dann eben P-Mos und für die Lowside N-Mos. Die P-Mos werden dann beim Einschalten gegen GND (max Gate Source Spannnung beachten). Oder ein Treiber IC wie von IR oder dergl. und alles N-Mos.
Man kann die oberen N-Mos auch diskret ansteuern mit einer Bootstrapschaltung und Treibertransistoren (wird in den ICs auch meistens verwendet).
Die Schaltung hat an der VSS Seite noch ein Porblem. Als Ausgangsspannung kriegt man da höchstens die Versorgungsspannung der Logic ICs minus etwa 2 V. Das wäre maximal 4 V, wohl aber nur 3 V. Wenn davon noch etwa 1 V an der GND Seite verloren geht bleiben nur 2 V. Die Bürcke braucht auch noch Freilaufdioden.
Das Problem mit der high side haben die ersete Schaltung und die mit den Bipolaren transistoren (30.8. um 22:16). Den letzen Post habe ich wohl übersehen.
Die Schaltung mit P und N Mosfets ist deutlich besser. Da ist nur die Wahl der Freilaufdioden falsch. Die 1N4003 sollte man besser weglassen, die Bodydioden der MOSFETs sind besser - so langesame wie die 1N400x gibt es da wohl nicht. Wenn man extra Freilaufdioden haben will, dann schnelle Dioden. Die ansterung der P MOSFETs ist auch ziehmlich langsam - da wäre zu überlegen PWM nur mit den N MOSFET zu machen und auf der High side-den Strom über die Freilaufdiode zu schickt. Vor allem solange das Timing nicht gut ist, sollte man es so machen.
Vor das Gate der N MOSFETs sollte noch ein Widerstand mit Diode Parallel, um für ein schnelles ausschalten und ein etwas langsameres einschalten zu sorgen.
Ich hoffe meine Frage passt hierher. Ich wüsste gerne warum man bei einer H-Brücke N und P Mosfets verwendet. Ich vermute das hat was mit der Spannung von Gate to Source zu tun?
Die positove Spannung zu schalten geht einfacher mit P-MOSFETs (oder alternativ PNP Transistoren). Die Steuerspannung ist dann relativ zu der festen Versorgungsspannung und nicht zum variablem Ausgang. Bei einem N-MOSFET auf der High Side verliert man etwas an Spannung, wenn man keinen Spannung über der normalen Versorgung zur verfügung hat.
Mit einer Ladungspumpe oder Bootstrap Schaltung kann man auch die Highside mit einem N MOSFET schalten. Man hat also die Wahl zwischen einer etwas aufwendigeren Schaltung oder einem etwas teurerem P-FET.
Für eher kleine Leistung wählt man dann oft die P-Fets, bei hoher Leistung dann doch eher 4 N-MOSFETs.
OK das hat mir ein bissel weiter geholfen Suche schon diese scaltung für den Bootstrap dann hben ich da noch gleich ne frage wenn bei einem mosfet im datenblatt steht das die gate spannung +-20V sein darf ist es dann so das wenn ich an der hi side z.b.30V habe da 20Vmehr ans gate legen muss?? zb 50V ??
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