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Mir ging es ja unter anderem auch darum die ganze Sache mal zu verstehen. Dazu war das mit den Transistoren bestimmt gar nicht so verkehrt. Wenn ich das mal richtig aufbaue kann ich ja dann auf integreirte Treiber ausweichen.Zitat:
Zitat von Manf
Eine komplett integrierte H-Brücke will ich allerdings nicht verwenden. Ich muss später Leistungen von 20 bis 40 Ampere schalten. Da werden die einfachen H-Brücken ICs nicht ausreichen.
So weit klar... ;)Zitat:
Zitat von sonic
Klingt logisch. Verkompliziert das ganze aber auch wieder. Dachte ich nehme da jetzt einfach nur einen OP-Amp, lasse das ganze über einen ADC laufen und frage das ab und zu ab. ;)Zitat:
Zitat von sonic
Vielleicht mache ich mir das auch zu kompliziert. Ich will eigentlich nur, dass der µC merkt, wenn der Motor blockiert wird (hoher Strom). Dazu brauche ich ja keine supergenaue Strommessung. Oder?
Und noch eine Frage:
Warum eigentlich immer P-Kanal und N-Kanal verwenden? Ich habe jetzt schon öfter Schaltungen gesehen, die NUR N-Kanal verwenden.
Z.B. hier:
https://www.roboternetz.de/phpBB2/fi..._v2_0e_sch.pdf
zum Schaltplan oben:
Beim P-Kanal-Mosfet solltest du Drain und Source tauschen, dann wird der Mosfet auch schalten. Es ist auch sinnvoll, den gleichen Treiber für den N-Kanal-Mosfet zu nehmen, (wurde oben von Manf schon erwähnt).
zu P-und N-Kanal:
Vorteil dieser Kombination: einfache Ansteuerung (wie im Bild oben)
Nachteil: P-Kanal-Mosfets sind hochohmiger als N-Kanal- Typen. Bis ca. 50 mOhm bekommt man noch ein komplementäres Pärchen zusammen. Nimmt man N-Kanal-Typen mit einem Rdson von wenigen mOhm, wirst du keinen komplementären P-FET finden. Dann nimmt man die Schaltung aus deinem Link mit der aufwendigeren Ansteuerung.
Gruß Stupsi
Arrrg.... natürlich! ](*,) Noch ein Fehler... ;) Hab ihn verbessert.Zitat:
Zitat von stupsi
Aber wieso die gleichen Treiber. Hat mir noch niemand einen Grund dafür genannt. ;)
Man darf also keine zwei MOS-FETs nehmen die unterschiedliche RdsOn haben? Wieder was gelernt!Zitat:
Zitat von stupsi
Ich finde die Schaltung aus meinem Link eigentlich extrem einfach.
1. Man braucht sich keine Gedanken um komplementäre MOS-FETs zu machen
2. Als Ansteuerung einfach eins von denen ICs für zwei MOS-FETs.
Dachte die hätte irgendwelche Nachteile dadurch, dass sie so einfach ist.
siehe 1.Zitat:
1. Das Datenblatt meint bis 4A ist die Ansteuerung mit 4,5V für den IRF1310 ausreichend wenn er unter 25°C bleibt.
2. Ich muss später Leistungen von 20 bis 40 Ampere schalten.
3. Aber wieso die gleichen Treiber. Hat mir noch niemand einen Grund dafür genannt.
Manfred
Es ist einfach die Summe der beiden Rds-Widerstände die wirksam ist. Einen von beiden durch teuren Transistor klein zu machen ist wenig effizient.Zitat:
Man darf also keine zwei MOS-FETs nehmen die unterschiedliche RdsOn haben? Wieder was gelernt!
3,40 EuroZitat:
Dachte die hätte irgendwelche Nachteile dadurch, dass sie so einfach ist.
Hi All,
schaut Euch doch mal diesen Link an : http://www.rutronik.com/stm/images/VNH3SP30.pdf
Gruß Hartmut
@Manf
Ah... ok, jetzt hab ich's kapiert! ;) Vielen Dank!
Also außer der "aufwendigen Ansteuerung" und dem daraus resultierenden Preis (der schon höher ist) hat es keinen Nachteil einfach nur N-Kanal MOS-FETs zu nehmen?
Ich dachte immer, dass bei N-MOS-FETs die Last in den Drain-Pfad rein muss. Das wäre aber bei dem oberen MOS-FET dann nicht der Fall wenn ich nur N-Kanal nehme.
Wichtig ist bei Fet die Spannung zwischen Gate und Drain. Die muss bei den Leistungsfets mindestens 10V sein. Um 20V schalten zu können muss der Treiber also 30V (gegen Masse) intern erzeugen. Daher kommt auch der höhere Preis für einen High-Side Treiber bzw. einen kombinierten.
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