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Hi Leute
kurze Frage ich habe 2 ULN 2803A, einer kann ja pro Phase 0,5A schalten. Wenn ich jetzt 2 so wie auf dem Bild zusammen "baue"
Anhang 28051Anhang 28052
müsste ich doch Theoretisch 1A schalten können und so weiter je nachdem wie viele ULNs ich benutze?
Hallo
Nur wenn du zwei exact identische hast.
Hast du aber nicht.
Leider kann man bipolare Transistoren "nicht so einfach" parallel schalten.
Mit Emitterwiderstaenden wuerde es gehen.
Also mach es professionell und nutze stattdessen MOSFETS .
KR
Ah ok danke für die schnelle Antwort
@nikolaus10 eine kleine frage hätte ich dann noch, was meinst du mit?Zitat:
zwei exact identische hast.Hast du aber nicht.
Aufgrund der Parameterstreuung und Temperaturunterschiede wird man nicht das Doppelte an Leistung erreichen. "Der Strom nimmt den Weg des geringsten Widerstands"
Besser wäre es vielleicht mehrere Kanäle eines IC zusammenzuschalten, die haben dann die gleiche Temperatur.
Warum eigentlich nicht? Im Datenblatt des IC heißt es: "OUTPUT CAN BE PARALLELED"Zitat:
Zitat von nikolaus10
Warum nimmst du nicht 2 auf dem gleichen Chip? Wobei, eine andere Grenze ist der Maximalstrom des Chips, und der liegt nicht bei 8 * 0,5A. Dann ist da auch noch die maximale Verlustleistung und die im Datenblatt berücksichtigt nicht, daß der Chip von oben oder unten durch einen anderen geheizt wird. So einfach ist das also nicht.Zitat:
Zitat von robots4-ever
MfG Klebwax
Wie wäre es sonst mit einigen TLE 6216 von Infineon ?
Ich habe noch einen kleinen Sack davon.
Mit zwei davon wärst Du im hell grünen Bereich.
Hallo,
Allerdings findet man nirgends Angaben ob dann auch der doppelte Strom erlaubt ist ??!!Zitat:
Zitat von witkatz
Das Problem beim Parallelschalten von Bipolar-Transistoren ist, dass diese immer etwas unterschiedlich dotiert sind.
Je nachdem ist dann die Sättigungsspannung auch etwas unterschiedlich.
Nun kommt das eigentlich Problem:
Wenn jetzt ein Transistor eine etwas kleine Sättigungsspannung hat, bekommt er einen etwas höheren Strom ab als die anderen und wird er auch etwas wärmer.
Mit der Temperatur nimmt aber die Sättigungsspannung auch ab, der Transistor bekommt noch mehr Strom ab, wird noch wärmer .......
Das selbe Problem hat man schon bei einem einzelnen Transistor. Die Dotierung ist nie ganz gleichmässig über den ganzen Kristall verbreitet.
Wenn nun die zulässige Stromdichte überschritten wird, tritt obiger Effekt lokal an einzelnen Stellen auf. Hinzu kommt noch das durch den Strom erzeugte Magnetfeld, welches dann den Strom auf einem kleineren Bereich zusammendrängt. Dadurch schaukelt sich das Ganze wiederum auf, nennt man Hot Spot. Das geht dann so weit, dass das Silizium Örtlich aufgeschmolzen wird und meist ein Kollektor-Emitter-Schluss die Folge ist. Lustigerweise sind meist die Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Dioden noch intakt.
Übrigens kann das Ganze, bis zum lokalen Schmelzen des Siliziums, innerhalb einiger 100µs ablaufen.
Bei FETs ist das umgekehrt, mit der Temperatur nimmt der Innenwiderstand des FET zu, also wird der Strom kleiner.
MfG Peter(TOO)
Ok danke für diese ausführliche Beschreibung.
Das mit den 2 ULNs war mehr oder weniger nur so eine Idee
aber danke